It is an object of the present invention to provide a high-reliability semiconductor device having a storage capacitor and wiring using copper for a main conductive film. Under the above object, the present invention provides a semiconductor device comprising: a semiconductor substrate; a storage capacitor formed on the main surface side of the semiconductor substrate and being a first electrode and a second electrode arranged so as to put a capacitor insulation film; a wiring conductor formed on the main surface side of the semiconductor substrate and including the copper (Cu) element; and a first film formed on the surface of the wiring conductor; wherein a material configuring the first film and a material configuring the first electrode and/or the second electrode include the same element.

É um objeto da invenção atual para fornecer um dispositivo de semicondutor da elevado-confiabilidade que tem um capacitor do armazenamento e que wiring usando o cobre para uma película condutora principal. Sob o objeto acima, a invenção atual fornece compreender do dispositivo de semicondutor: uma carcaça do semicondutor; um capacitor do armazenamento deu forma no lado de superfície principal da carcaça e de ser do semicondutor um primeiro elétrodo e um segundo elétrodo arranjados para pôr uma película da isolação do capacitor; um condutor da fiação deu forma no lado de superfície principal da carcaça e de incluir do semicondutor o elemento de cobre (do cu); e uma primeira película deu forma na superfície do condutor da fiação; wherein um material que configuraram a primeira película e um material que configurara o primeiro elétrodo e/ou o segundo elétrodo incluem o mesmo elemento.