Disclosed herein is a communication module, comprising a semiconductor chip
in which channels for allowing signal converting means to convert current
signals inputted from input terminals to voltage signals and outputting
the same from output terminals respectively are arranged in parallel in
plural form, and wherein the semiconductor chip is comprised principally
of a semiconductor substrate in which a second semiconductor layer is
provided on a first semiconductor layer with an insulating layer
interposed therebetween, each of the signal converting means is formed in
a channel forming region of the second semiconductor layer, which is
defined for each channel, and the input and output terminals are formed on
the channel forming regions of the second semiconductor layer with the
insulating layer interposed therebetween. In the communication module, the
first semiconductor layer is formed with resistivity smaller than that of
the second semiconductor layer and fixed to a fixed potential, whereby the
amount of transfer of noise power developed through the substrate can be
lessened and crosstalk developed between adjacent channels can be reduced.
Se divulga adjunto un módulo de la comunicación, abarcando una viruta del semiconductor en la cual los canales para permitir medios que convierten de la señal de convertir las señales actuales entradas de los terminales de la entrada a las señales del voltaje y haciendo salir igual de los terminales de salida respectivamente se arreglen en paralelo en forma plural, y en donde la viruta del semiconductor se abarca principalmente de un substrato del semiconductor en el cual una segunda capa del semiconductor se proporcione en una primera capa del semiconductor de una capa de aislamiento interpuesta therebetween, cada uno de los medios que convierten de la señal se forma en un canal que forma la región de la segunda capa del semiconductor, que se define para cada canal, y los terminales de la entrada y de salida se forman en el canal que forma las regiones del segundo la capa del semiconductor con la capa de aislamiento interpuesta therebetween. En el módulo de la comunicación, la primera capa del semiconductor se forma con la resistencia más pequeña que la de la segunda capa del semiconductor y está fijada a un potencial fijo, por el que la cantidad de transferencia de la energía de ruido desarrollada a través del substrato pueda ser disminuida y la interferencia desarrollada entre los canales adyacentes pueda ser reducida.
