The present invention is a semiconductor structure for light emitting devices that can emit in the red to ultraviolet portion of the electromagnetic spectrum. The semiconductor structure includes a first cladding layer of a Group III nitride, a second cladding layer of a Group III nitride, and an active layer of a Group III nitride that is positioned between the first and second cladding layers, and whose bandgap is smaller than the respective bandgaps of the first and second cladding layers. The semiconductor structure is characterized by the absence of gallium in one or more of these structural layers.

A invenção atual é uma estrutura do semicondutor para a luz que emite-se os dispositivos que podem se emitir no vermelho à parcela ultravioleta do spectrum eletromagnético. A estrutura do semicondutor inclui uma primeira camada do cladding de um nitride do grupo III, uma segunda camada do cladding de um nitride do grupo III, e uma camada ativa de um nitride do grupo III que sejam posicionados entre as primeiras e segundas camadas do cladding, e o cujo o bandgap seja menor do que os bandgaps respectivos das primeiras e segundas camadas do cladding. A estrutura do semicondutor é caracterizada pela ausência do gallium em um ou por mais destas camadas estruturais.