The invention grows SiO.sub.2 films over silicon at temperatures as low as room temperature and at pressures as high as 1 atmosphere. The lower temperature oxidation is made possible by creation of oxygen atoms and radicals by adding noble gas(es) along with oxidizing gas(es) and applying RF power to create plasma. The invention also fabricates silicon nitride films by flowing nitrogen containing gas(es) with noble gas(es) and applying RF power to create plasma at pressures as high as one atmosphere. In addition, the above processes can also be performed using microwave power instead of RF power to create plasma.

Вымысел растет пленки SiO.sub.2 над кремнием на температурах как низких как температура комнаты и на давлениях как высоких как 1 атмосфера. Оксидации более низкая температура делают возможным творением атомов и радикалов кислорода путем добавлять благородное gas(es) вместе с окисляя gas(es) и придавать силу rf создать плазму. Вымысел также изготовляет пленки нитрида кремния путем пропуская азот содержа gas(es) с благородным gas(es) и придавая силу rf создать плазму на давлениях как высоких как одна атмосфера. In addition, вышеуказанные процессы можно также выполнить использующ силу микроволны вместо силы rf создать плазму.