A method, apparatus, system, and machine-readable medium for an interconnect structure in a semiconductor device and its method of formation is disclosed. Embodiments comprise a carbon-doped and silicon-doped interconnect having a concentration of silicon to avoid to forming a copper silicide layer between an interconnect and a passivation layer. Some embodiments provide unexpected results in electromigration reliability in regards to activation energy and/or mean time to failure.

Een methode, een apparaat, een systeem, en machine-readable middel voor een interconnect structuur in een halfgeleiderapparaat en zijn methode van vorming worden onthuld. De belichamingen bestaan uit koolstof-gesmeerd en silicium-gesmeerd onderling verbinden het hebben van een concentratie van silicium om aan het vormen van een kopersilicide laag tussen interconnect en een passiveringslaag te vermijden. Sommige belichamingen leveren onverwachte resultaten in elektromigratiebetrouwbaarheid met betrekking tot op activeringsenergie en/of betekenen tijd aan mislukking.