A ferroelectric memory cell formed on a monocrystalline silicon underlayer, either an epitaxial silicon contact plug to a transistor source or drain or silicon gate region for which the memory cell forms a non-volatile gate. A conductive barrier layer of vanadium or niobium substituted strontium titanate is epitaxially grown over the silicon, and a lower metal oxide electrode layer, a ferroelectric layer and an upper metal oxide electrode layer are epitaxially grown on the barrier layer. No platinum barrier is needed beneath the ferroelectric stack. The invention can be applied to many other functional oxide devices including micromachined electromechanical (MEM) devices and ferromagnetic tri-layer devices.

Eine ferroelectric Speicherzelle bildete sich auf einem monokristallinen Silikon underlayer, entweder ein Epitaxial- Silikonkontaktstecker zu einer Transistorquell- oder Abfluss- oder Silikongate-Zone, für die die Speicherzelle ein permanentes Gatter bildet. Eine leitende Grenzschicht des Vanadiums oder des Niobium ersetzten Strontiumtitanats wird Epitaxial- über dem Silikon gewachsen, und eine niedrigere Metalloxid-Elektrode Schicht, eine ferroelectric Schicht und eine obere Metalloxidelektrode Schicht werden Epitaxial- auf der Grenzschicht gewachsen. Keine Platinsperre ist unter dem ferroelectric Stapel erforderlich. Die Erfindung kann auf viele andere Funktionsoxidvorrichtungen einschließlich zugetroffen werden micromachined elektromechanische Vorrichtungen (MEM) und ferromagnetische Tri-Schicht Vorrichtungen.