A ground pattern film 12 for interconnections is formed on a glass substrate 11, and a plating film 13 is formed by selective plating on the ground pattern film 12. A taper angle .alpha. which both sides of the plating film 13 form with the surface of the glass substrate 11 is made in the range of 0<.alpha.<90.degree.. This arrangement allows the formation of new metal lines on the plating film 13 without a break and allows the patterning of a new film on the plating film 13 without a remaining film.

Un film moulu 12 de modèle pour des interconnexions est formé sur un substrat de verre 11, et un film 13 d'électrodéposition est constitué par l'électrodéposition sélective sur le film moulu 12 de modèle. Un alpha. d'angle de cône que les deux côtés de l'électrodéposition filment la forme 13 avec la surface du substrat de verre 11 est fait dans la gamme de 0