A field effect transistor is made on a chip comprising a SiC-substrate. The transistor includes a plurality of densely stacked parallel transistor cells occupying totally a rectangular area. Each transistor cell has parallel strip-shaped regions forming the electrodes and active areas of the cell and each inner cell shares its drain and sources electrodes with neighbouring cells. In order to give a good power dissipation allowing an electrical high power of the transistor, the rectangular area has a very elongated shape and specifically it should have a width not larger than substantially 50 .mu.m. In the rectangular area all the transistor cells have their strip-shaped regions located in parallel to short sides of the rectangular area and are generally very short considering the length of the rectangular area. Thus specifically also each cell has a length not larger than substantially 50 .mu.m. The distances from the long sides of the rectangular area to the edges of the chip should be at least 50% and preferably 60% of the thickness of the chip to allow a good thermal flow out of the active rectangular area. A plurality of such very elongated active areas can be located on a single chip.

Een gebiedseffect transistor wordt gemaakt op een spaander bestaand uit een siC-Substraat. De transistor omvat een meerderheid van dicht gestapelde parallelle transistorcellen die totaal een rechthoekig gebied bezetten. Elke transistorcel heeft parallelle strook-vormige gebieden vormt de elektroden en de actieve gebieden van de cel en elke binnencel deelt zijn afvoerkanaal en bronelektroden met naburige cellen. Om een goede machtsdissipatie te geven die een elektro hoge macht van de transistor toestaat, heeft het rechthoekige gebied een zeer verlengde vorm en specifiek het moeten=zou= een breedte niet hebben groter dan mu.m. wezenlijk 50 Om een goede machtsdissipatie te geven die een elektro hoge macht van de transistor toestaat, heeft het rechthoekige gebied een zeer verlengde vorm en specifiek het moeten=zou= een breedte niet hebben groter dan mu.m. wezenlijk 50 In het rechthoekige gebied hebben alle transistorcellen hun strook-vormige gebieden gevestigde tegelijkertijd parallel met korte kanten van het rechthoekige gebied en over het algemeen zeer plotseling overwegen de lengte van het rechthoekige gebied. Aldus specifiek elke cel heeft ook een lengte niet groter dan mu.m. wezenlijk 50 De afstanden van de lange kanten van het rechthoekige gebied aan de randen van de spaander zouden minstens 50% en bij voorkeur 60% van de dikte van de spaander moeten zijn om een goede thermische stroom uit het actieve rechthoekige gebied toe te staan. Een meerderheid van dergelijke zeer verlengde actieve gebieden kan op één enkele spaander worden gevestigd.