A method for removing contaminants from a semiconductor wafer having a spin
on coating of material. Contaminants are removed by applying a cleaning
solution to the periphery, and preferably, the exposed backside of the
wafer after the edge bead has been dissolved and removed. The cleaning
solution is formulated to react chemically with unwanted coating material
residue to form a compound that may be ejected from the periphery of the
spinning wafer. Any residual solution or precipitate that is not ejected
from the wafer may be rinsed away with water, preferably deoinized water.
One exemplary use of this method is the removal of metallic contaminants
that may be left on the periphery and backside of a wafer after the
formation of ferroelectric film coatings. A cleaning solution comprising a
mixture of hydrochloric acid HCl and water H.sub.2 O or,ammonium hydroxide
NH.sub.4 OH and water H.sub.2 O is applied to the periphery of the
spinning wafer. The cleaning solution will react with any residual metal
ions to form a metal chloride or metal hydroxide that is ejected from the
wafer along with the cleaning solution.
Un método para quitar los contaminantes de una oblea de semiconductor que tiene una vuelta en la capa de material. Los contaminantes son quitados aplicando una solución de la limpieza a la periferia, y preferiblemente, la parte posterior expuesta de la oblea después del grano del borde se ha disuelto y se ha quitado. La solución de la limpieza se formula para reaccionar químicamente con residuo material de capa indeseado para formar un compuesto que se pueda expulsar de la periferia de la oblea que hace girar. Cualquier solución o precipitado residual que no se expulsen de la oblea se puede aclarar lejos con agua, deoinized preferiblemente el agua. Un uso ejemplar de este método es el retiro de los contaminantes metálicos que se pueden dejar en la periferia y la parte posterior de una oblea después de la formación de las capas ferroelectric de la película. Una solución de la limpieza que abarca una mezcla del ácido hidroclórico HCl y el agua H.sub.2 O o, el hidróxido de amonio NH.sub.4 OH y el agua H.sub.2 O se aplica a la periferia de la oblea que hace girar. La solución de la limpieza reaccionará con cualquier ion residual del metal para formar un cloruro del metal o un hidróxido del metal que se expulse de la oblea junto con la solución de la limpieza.
