An integrated memory has memory cells with a magnetoresistive storage property. The memory cells are connected in each case between column lines and row lines. For reading a data signal of a memory cell connected to a row line, one of the row lines is connected in a selection circuit to a terminal for a selection signal. The other row lines are driven in such a way that they are electrically isolated in the selection circuit for the reading of the data signal. As a result, a comparatively reliable reading operation is possible.

Uma memória integrada tem pilhas de memória com uma propriedade magnetoresistive do armazenamento. As pilhas de memória são conectadas em cada caso entre linhas de coluna e linhas da fileira. Para ler um sinal dos dados de uma pilha de memória conectou a uma linha da fileira, uma das linhas da fileira é conectado em um circuito de seleção a um terminal para um sinal da seleção. As outras linhas da fileira são dirigidas de tal maneira que são isoladas eletricamente no circuito de seleção para a leitura do sinal dos dados. Em conseqüência, uma operação de leitura comparativamente de confiança é possível.