Triode pixel devices and complementary triode logic devices for control of the pixel devices are disclosed. The pixel and logic devices are integrally fabricated in arrays suitable for full color flat display panels. Both pixel and logic elements are operated in a gate controlled avalanche mode. Pixel elements are formed from organic or inorganic electroluminescent (EL) materials ohmically contacted by low work function metal. The depletion region necessary for controlling EL intensity or preventing EL avalanche is affected by potentials to a gate element injected into the EL material. The shape of the gate element multiplies the field produced by the gate potential. Luminescence is directly viewed from the brighter, lateral EL emission not available in the prior art. The complementary logic devices are formed from separate depositions of n-type and p-type silicon with their respective gates connected in common. A manufacturing process to produce economical full color, large area, flat-panel, displays of high pixel density and redundancy is described. Small area high pixel density displays suitable for head-mounted military, avionic, and virtual reality display products are also discussed.

Des dispositifs de Pixel de triode et les dispositifs de logique complémentaires de triode pour la commande des dispositifs de Pixel sont révélés. Le Pixel et les dispositifs de logique sont intègralement fabriqués dans les rangées appropriées aux panneaux d'affichage plats de pleine couleur. Des éléments de Pixel et de logique sont actionnés en mode d'avalanche commandé par porte. Des éléments de Pixel sont formés des matériaux électro-luminescents organiques (EL) ou inorganiques ohmically entrés en contact par le bas métal de fonction de travail. La région d'épuisement nécessaire pour commander l'intensité de EL ou empêcher l'avalanche de EL est affectée par des potentiels à un élément de porte injecté dans le matériel de EL. La forme de l'élément de porte multiplie le champ produit par le potentiel de porte. La luminescence est directement regardée de l'émission plus lumineuse et latérale de EL non disponible dans l'art antérieur. Les dispositifs de logique complémentaires sont formés des dépôts séparés du n-type et du p-type silicium avec leurs portes respectives reliées en commun. Un processus de fabrication pour produire la pleine couleur économique, le grands secteur, à panneau plat, des affichages de densité élevée de Pixel et redondance est décrit. La densité élevée de Pixel de petit secteur montre approprié à militaire tête-monté, aéro-électronique, et des produits virtuels d'affichage de réalité sont également discutés.