An electrode bonding structure is disclosed for reducing the thermal expansion of a circuit board during the bonding process of the circuit board and a substrate of a flat display. The electrode bonding structure includes a substrate, a circuit board, and an anisotropic conductive film ACF. A substrate dielectric layer and an indenting pad are formed on the surface of the substrate, and the inner surface of the indenting pad is lower than the surface of the substrate dielectric layer by an indenting depth H3. The circuit board is placed parallel to the substrate, and a circuit dielectric layer and a bump pad are formed on the surface of the circuit board. The bump pad is higher than the surface of the circuit dielectric layer by a height H1. The ACF is placed between the substrate and the circuit board, and the thickness of the ACF is a thickness H2. The position of the indenting pad is corresponded to that of the bump pad, and the height H1 is not less than the sum of the thickness H2 and the depth H3, that is, H1>=H2+H3. The thermal expansion of the circuit board can be reduced during the bonding process of the substrate and the circuit board and the quality of the display can also be improved.

Una estructura de la vinculación del electrodo se divulga para reducir la extensión termal de un tablero de circuito durante el proceso de la vinculación del tablero de circuito y de un substrato de una exhibición plana. La estructura de la vinculación del electrodo incluye un substrato, un tablero de circuito, y una película conductora anisotropic ACF. Una capa dieléctrica del substrato y un cojín que mella se forman en la superficie del substrato, y la superficie interna del cojín que mella es más baja que la superficie de la capa dieléctrica del substrato por una profundidad que mella H3. El tablero de circuito es paralelo colocado al substrato, y una capa dieléctrica del circuito y un cojín del topetón se forman en la superficie del tablero de circuito. El cojín del topetón es más alto que la superficie de la capa dieléctrica del circuito por una altura H1. El ACF se coloca entre el substrato y el tablero de circuito, y el grueso del ACF es un grueso H2. La posición del cojín que mella se corresponde a la del cojín del topetón, y la altura H1 no es menos que la suma del grueso H2 y de la profundidad H3, es decir, H1 = H2+H3. La extensión termal del tablero de circuito se puede reducir durante el proceso de la vinculación del substrato y el tablero de circuito y la calidad de la exhibición pueden también ser mejorados.

 
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