A magneto-resistive random access memory (MRAM) configuration is described in which line driver circuits are respectively assigned via connecting nodes to two memory cell arrays, with the result that the area for the driver circuits can practically be halved. Therefore a space-saving architecture and a more efficient MRAM configuration is obtained.

Магниторезистивная конфигурация памяти случайного доступа (MRAM) описана в цепи водителя линии соответственно заданы через соединяясь узлы до 2 блока ячейкы памяти, с результатом что зона для цепей водителя можно практически halved. Поэтому получены зодчество space-saving и более эффективная конфигурация MRAM.