A chain type ferroelectric random access memory has a memory cell unit
comprising ferroelectric memory cells electrically connected in series to
each other, a plate line connected to an electrode of the memory cell
unit, a bit line connected to the other electrode of the memory cell unit
via a switching transistor, a sense amplifier which amplifies the voltages
of this bit line and its complementary bit line, and a transistor inserted
between the switching transistor and the sense amplifier, and that a
value, being the minimum value of the gate voltage in the transistor
obtained during elevation of the plate line voltage and comparative
amplification, is smaller than a value, being the maximum value of the
gate voltage in the transistor obtained during fall of the plate line
voltage and comparative amplification. With these features, decrease in
the accumulated charge of polarization in the memory cell is reduced and
occurrence of disturb is prevented during read/write operations.
Um tipo chain memória de acesso aleatório ferroelectric tem uma unidade da pilha de memória compreender as pilhas de memória ferroelectric conectadas eletricamente em série a se, uma linha da placa conectada a um elétrodo da unidade da pilha de memória, uma linha do bocado conectada ao outro elétrodo da unidade da pilha de memória através de um transistor do switching, um amplificador do sentido que amplifique as tensões desta linha do bocado e de sua linha complementar do bocado, e um transistor introduzido entre o transistor do switching e o amplificador do sentido, e aquele um valor, sendo o valor mínimo da tensão da porta no transistor obtido durante a elevação da linha tensão e amplification comparativo da placa, é menor do que um valor, estando o valor máximo da tensão da porta no transistor obtido durante a queda da linha tensão e amplification comparativo da placa. Com estas características, a diminuição na carga acumulada de polarization na pilha de memória é reduzida e a ocorrência de perturba é impedida durante operações de leitura/gravação.