A method for fabricating p-type, i-type, and n-type III-V compound materials using HVPE techniques is provided. If desired, these materials can be grown directly onto the surface of a substrate without the inclusion of a low temperature buffer layer. By growing multiple layers of differing conductivity, a variety of different device structures can be fabricated including simple p-n homojunction and heterojunction structures as well as more complex structures in which the p-n junction, either homojunction or heterojunction, is interposed between a pair of wide band gap material layers. The provided method can also be used to fabricate a device in which a non-continuous quantum dot layer is grown within the p-n junction. The quantum dot layer is comprised of a plurality of quantum dot regions, each of which is typically between approximately 20 and 30 Angstroms per axis. The quantum dot layer is preferably comprised of Al.sub.x B.sub.y In.sub.z Ga.sub.1-x-y-z N, InGaN.sub.1-a-b P.sub.a As.sub.b, or Al.sub.x B.sub.y In.sub.z Ga.sub.1-x-y-z N.sub.1-a-b P.sub.a As.sub.b.

Μια μέθοδος για τον π-τύπο, τον ι-τύπο, και τον ν-τύπο IIIV σύνθετα υλικά που χρησιμοποιούν τις τεχνικές HVPE παρέχεται. Εάν επιδιώκονται, αυτά τα υλικά μπορούν να αυξηθούν άμεσα επάνω στην επιφάνεια ενός υποστρώματος χωρίς το συνυπολογισμό ενός στρώματος απομονωτών χαμηλής θερμοκρασίας. Με την ανάπτυξη των πολλαπλάσιων στρωμάτων της διαφορετικής αγωγιμότητας, ποικίλες διαφορετικές δομές συσκευών μπορούν να κατασκευαστούν συμπεριλαμβανομένων των απλών PN homojunction και ετεροεπαφής δομών καθώς επίσης και των πιό σύνθετων δομών στις οποίες η σύνδεση PN, είτε homojunction είτε ετεροεπαφή, παρεμβάλλεται μεταξύ ενός ζευγαριού των ευρέων υλικών στρωμάτων χάσματος ζωνών. Η παρεχόμενη μέθοδος μπορεί επίσης να χρησιμοποιηθεί για να κατασκευάσει μια συσκευή στην οποία ένα non-continuous κβαντικό στρώμα σημείων αυξάνεται μέσα στη σύνδεση PN. Το κβαντικό στρώμα σημείων αποτελείται από μια πολλαπλότητα των κβαντικών περιοχών σημείων, κάθε μια από τις οποίες είναι χαρακτηριστικά μεταξύ περίπου 20 και 30 Angstroms ανά άξονα. Το κβαντικό στρώμα σημείων αποτελείται κατά προτίμηση από Al.sub.x B.sub.y In.sub.z γα.σuψ.1-Χ-Υ-ζ ν, το ηνΓαΝ.σuψ.1-α-β P.sub.a As.sub.b, ή Al.sub.x B.sub.y In.sub.z γα.σuψ.1-Χ-Υ-ζ ν.σuψ.1-α-Β P.sub.a As.sub.b.