Disclosed herein are (1) a light-emitting semiconductor device that uses a gallium nitride compound semiconductor (Al.sub.x Ga.sub.1-x N) in which the n-layer of n-type gallium nitride compound semiconductor (Al.sub.x Ga.sub.1-x N) is of double-layer structure including an n-layer of low carrier concentration and an n.sup.+ -layer of high carrier concentration, the former being adjacent to the i-layer of insulating gallium nitride compound semiconductor (Al.sub.x Ga.sub.1-x N); (2) a light-emitting semiconductor device of similar structure as above in which the i-layer is of double-layer structure including an i.sub.L -layer of low impurity concentration containing p-type impurities in comparatively low concentration and an i.sub.H -layer of high impurity concentration containing p-type impurities in comparatively high concentration, the former being adjacent to the n-layer; (3) a light-emitting semiconductor device having both of the above-mentioned features and (4) a method of producing a layer of an n-type gallium nitride compound semiconductor (Al.sub.x Ga.sub.1-x N) having a controlled conductivity from an organometallic compound by vapor phase epitaxy, by feeding a silicon-containing gas and other raw material gases together at a controlled mixing ratio.

Hierin (1) gegeben ein lichtemittierendes Halbleiterelement frei, das einen Verbindungshalbleiter des Galliumnitrids benutzt (Al.sub.x Ga.sub.1-x in dem N) die Nschicht der Nart Verbindungshalbleiter des Galliumnitrids (Al.sub.x Ga.sub.1-x N) ist von der Doppeltschicht Struktur einschließlich eine Nschicht niedrige Ladungskonzentration und von einem n.sup.+ - Schicht hohe Ladungskonzentration, das ehemalige Sein neben der Ichschicht des isolierenden Verbindungshalbleiters des Galliumnitrids (Al.sub.x Ga.sub.1-x N); (2) ein lichtemittierendes Halbleiterelement der ähnlichen Struktur als oben in welchen die Ichschicht von der Doppeltschicht Struktur einschließlich ein i.sub.L - Schicht niedrige Störstellenkonzentation, die Part Verunreinigungen in der verhältnismässig niedrigen Konzentration und in einem i.sub.H enthält - Schicht hohe Störstellenkonzentation ist, die Part Verunreinigungen in der verhältnismässig hohen Konzentration enthält, das ehemalige Sein neben der Nschicht; (3) ein lichtemittierendes Halbleiterelement, das beide der obenerwähnten Eigenschaften haben und (4) eine Methode des Produzierens einer Schicht einer Nart Verbindungshalbleiter des Galliumnitrids (Al.sub.x Ga.sub.1-x N) eine kontrollierte Leitfähigkeit von einem organometallischen Mittel durch Dampfphase Epitaxie habend, durch ein Silikon-enthaltenes Gas und andere Rohstoffgase zusammen sind einziehen an einem kontrollierten mischenden Verhältnis.

 
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