A method for manufacturing a zirconium oxide film for use in a semiconductor device by using an atomic layer deposition (ALD) which begins with setting a wafer in a reaction chamber. Thereafter, a zirconium source material of Zr(OC(CH.sub.3).sub.3).sub.4 (zirconium tetra-tert-butoxide) is supplied into the reaction chamber and then, an unreacted Zr(OC(CH.sub.3).sub.3).sub.4 is removed by a N.sub.2 purge or a vacuum purge. Subsequently, an oxygen source material is supplied into the reaction chamber, wherein the oxygen source material is selected from the group consisting of vaporized water (H.sub.2 O), O.sub.2 gas, N.sub.2 O gas and O.sub.3 gas. Finally, an unreacted oxygen source material is purged out from the reaction chamber.

Een methode om een film van het zirconiumoxyde voor gebruik in een halfgeleiderapparaat te vervaardigen door een atoomlaagdeposito (ALD) te gebruiken dat met het plaatsen van een wafeltje in een reactiekamer begint. Daarna, wordt een zirconium bronmateriaal van Zr(OC(CH.sub.3).sub.3).sub.4 (zirconium tetra-tert-butoxide) geleverd in de reactiekamer en toen, wordt een unreacted Zr(OC(CH.sub.3).sub.3).sub.4 verwijderd door een zuivering N.sub.2 of een vacuümzuivering. Later, wordt een zuurstof bronmateriaal geleverd in de reactiekamer, waarin het zuurstof bronmateriaal uit de groep geselecteerd wordt die uit gelaten verdampen water bestaat (gas H.sub.2 O), O.sub.2, het gas van N.sub.2 O en gas O.sub.3. Tot slot wordt een unreacted zuurstof bronmateriaal gezuiverd uit van de reactiekamer.