According to one embodiment, a virtual channel synchronous dynamic random
access memory (VCSDRAM) (100) can perform a high-frequency test with lower
frequency test equipment. The VCSDRAM (100) can include a command decoder
circuit (102) that can receive a transfer command and provide a transfer
command signal (124). A transfer operation start signal generating circuit
(106) can receive and latch the transfer command signal (124). The command
decoder circuit (102) can then receive an active command and provide an
active command signal (120). The active command signal (120) can result in
the generation of a main storage activating signal (128). Having latched
the transfer command signal (124), the transfer operation start signal
generating circuit (106) can generate a transfer operation start signal
(130) in response to the active command signal (120). The transfer
operation start signal (130) can generate a control signal (132). In
response to the control signal (132), data can be transferred between a
main storage portion (114) and a substorage portion (116).
Selon une incorporation, une mémoire à accès sélective dynamique synchrone de canal virtuel (VCSDRAM) (100) peut réaliser un essai à haute fréquence avec l'équipement d'essai de plus basse fréquence. Le VCSDRAM (100) peut inclure un circuit de décodeur de commande (102) qui peuvent recevoir une commande de transfert et fournir un signal de commande de transfert (124). Un signal de départ d'opération de transfert produisant du circuit (106) peut recevoir et verrouiller le signal de commande de transfert (124). Le circuit de décodeur de commande (102) peut alors recevoir une commande active et fournir un signal actif de commande (120). Le signal actif de commande (120) peut avoir comme conséquence la génération d'un signal de déclenchement de mémoire centrale (128). Après avoir verrouillé le signal de commande de transfert (124), le signal de départ d'opération de transfert produisant du circuit (106) peut produire d'un signal de départ d'opération de transfert (130) en réponse au signal actif de commande (120). Le signal de départ d'opération de transfert (130) peut produire d'un signal de commande (132). En réponse au signal de commande (132), des données peuvent être transférées entre une partie de mémoire centrale (114) et une partie de substorage (116).
