In an active matrix semiconductor display device in which pixel TFTs and driver circuit TFT are formed on the same substrate in an integral manner, the cell gap is controlled by gap retaining members that are disposed between a pixel area and driver circuit areas. This makes it possible to provide a uniform cell thickness profile over the entire semiconductor display device. Further, since conventional grainy spacers are not used, stress is not imposed on the driver circuit TFTs when a TFT substrate and an opposed substrate are bonded together. This prevents the driver circuit TFTs from being damaged.

In un visualizzatore attivo a semiconduttore della tabella in cui il pixel TFTs ed il circuito del driver TFT sono formati sullo stesso substrato in un modo integrale, lo spacco delle cellule è controllato dai dispositivi di ritenuta di spacco che sono disposti di fra una zona del pixel e lle zone del circuito del driver. Ciò permette di fornire un profilo di spessore delle cellule dell'uniforme sopra l'intero visualizzatore a semiconduttore. Ulteriormente, poiché i distanziatori granulari convenzionali non sono usati, lo sforzo non è imposto al circuito TFTs del driver quando un substrato di TFT e un substrato opposto sono legati insieme. Ciò impedisce il circuito TFTs del driver essere danneggiato.