A method is provided of forming a semiconductor seed layer starting with a non-electrochemical deposition of an initial deposition of the seed layer. This is followed by a very slow deposition rate electrochemical deposition with an organic additive at the beginning of the plating process to overcome the initial thin seed coverage at the bottom and bottom sidewall of a feature. The electrochemical deposition plates at a very low rate initially followed by a low rate deposition to build up a thicker and more uniform seed layer at the bottom and bottom sidewall. In the meantime, this slow plating rate step only adds a small thickness to the top portion of the feature where non-electrochemical deposition seed coverage was initially thicker.

Метод обеспечен формировать слой семени полупроводника starting with нон-3lektroximiceskoe низложение первоначально низложения слоя семени. Это последовано за низложением очень медленного тарифа низложения электрохимическим с органической добавкой на начале процесса плакировкой для того чтобы отжать первоначально тонкий охват семени на дне и стенке дна характеристики. Электрохимические плиты низложения на очень низком тарифе первоначально последовали за низким низложением тарифа для того чтобы build up более толщиной и более равномерный слой семени на дне и стенке дна. Тем временем, этот медленный шаг тарифа плакировкой только добавляет малую толщину к верхней части характеристики где нон-3lektroximiceski1 охват семени низложения был первоначально толщине.