A high-speed semiconductor transistor and process for forming same. The process includes forming, in a Si substrate (10), spaced apart shallow trench isolations (STIs) (20), and a gate (36) atop the substrate between the STIs. Then, regions (40,44) of the substrate on either side of the gate are either amorphized and doped, or just doped. In certain embodiments of the invention, extension regions (60,62 or 60',62') and deep drain and deep source regions (80, 84 or 80',84') are formed. In other embodiments, just deep drain and deep source regions (80, 84 or 80', 84') are formed. A conformal layer (106) is then formed atop the substrate, covering the substrate surface (11) and the gate. The conformal layer can serve to absorb light and/or to distribute heat to the underlying structures. Then, at least one of front-side irradiation (110) and back-side irradiation (116) is performed to activate the drain and source regions and, if present, the extensions. Explosive recrystallization (124) is one mechanism used to achieve dopant activation. A deep dopant region (120) may be formed deep in the substrate to absorb light and release energy in the form of heat (122), which then activates the doped regions.

Um transistor e um processo de alta velocidade do semicondutor para dar forma a mesmos. O processo inclui a dar forma, em uma carcaça do silicone (10), a isolações rasas separadas espaçadas da trincheira (STIs) (20), e a uma porta (36) sobre a carcaça entre o STIs. Então, as regiões (40.44) da carcaça em um ou outro lado da porta são qualquer uma amorphized e doped, ou doped apenas. Em determinadas incorporações da invenção, as regiões da extensão (60.62 ou 60', 62 ') e o dreno profundo e as regiões profundas da fonte (80, 84 ou 80', 84 ') são dados forma. Em outras incorporações, apenas o dreno profundo e as regiões profundas da fonte (80, 84 ou 80 ', 84') são dados forma. Uma camada conformal (106) é dada forma então sobre a carcaça, cobrindo a superfície da carcaça (11) e a porta. A camada conformal pode servir absorver a luz e/ou distribuir o calor às estruturas subjacentes. Então, ao menos um do irradiation do dianteiro-lado (110) e o irradiation do back-side (116) é executado para ativar as regiões do dreno e da fonte e, se presente, as extensões. O recrystallization explosivo (124) é um mecanismo usado conseguir a ativação do dopant. Uma região profunda do dopant (120) pode ser dada forma profundamente na carcaça para absorver a luz e liberar a energia no formulário do calor (122), que ativa então as regiões doped.