A method of manufacturing a top-gate self-aligned thin film transistor involves the use of back exposure of a negative resist (26) using the lower source and drain electrode pattern (11, 12) as a photomask. A transparent amorphous silicon layer (24) is used as the gate electrode layer of the TFT structure, and the resistance of this gate electrode layer (24) is reduced by subsequent processing. For example, a silicide layer (32) may be formed over the gate electrode layer (24) which has the added advantage of reducing the transparency of the insulated gate structure (22, 24) of the TFT, thereby reducing the dependency of the TFT characteristics on light conditions.

Метод изготовлять собственн-vyrovn4nny1 верхн-strobom транзистор тонкой пленки включает пользу задней выдержки недостатка сопротивляет (26) использующ более низкий источник и стекает картину электрода (11, 12) как photomask. Прозрачный аморфический слой кремния (24) использован как слой электрода строба структуры TFT, и сопротивление этого слоя электрода строба (24) уменьшено затем обрабатывать. Например, слой силицида (32) может быть сформирован над слоем электрода строба (24) который имеет добавленное преимущество уменьшения транспаранта изолированной структуры строба (22, 24) TFT, таким образом уменьшая зависимость характеристик TFT на светлых условиях.

 
Web www.patentalert.com

< (none)

< High-speed semiconductor transistor and selective absorption process forming same

> Inhalation device

> (none)

~ 00034