A storage cell is described which includes a storage element whose electric resistance represents an information unit and can be influenced by a magnetic field as well as a transistor which when the information is read out allows for the corresponding storage cell to be selected from among the storage cells. To write the information unit, a write line and a bit line are provided which intersect in the area of the storage element and are able to generate the magnetic field. The storage cell is disposed between the bit line and a shared voltage supply connection. The storage cell is disposed between the bit line and the write line and the write line can coincide with a gate line that controls the transistor. The transistor is a planar or vertical transistor. The storage element and the transistor can be positioned next to or on top of each other.

Uma pilha do armazenamento é descrita que inclua um elemento do armazenamento cuja a resistência elétrica represente uma unidade de informação e possa ser influenciada por um campo magnético as.well.as um transistor que quando a informação é lida para fora permita para que a pilha correspondente do armazenamento seja selecionada entre das pilhas do armazenamento. Para escrever a unidade de informação, uma linha da escrita e uma linha do bocado são fornecidas que se cruzem na área do elemento do armazenamento e podem gerar o campo magnético. A pilha do armazenamento é disposta entre a linha do bocado e uma conexão compartilhada da fonte da tensão. A pilha do armazenamento é disposta entre a linha do bocado e a linha da escrita e a linha da escrita pode coincidir com uma linha da porta que controle o transistor. O transistor é um transistor planar ou vertical. O elemento do armazenamento e o transistor podem ser posicionados ao lado ou no alto de se.