Methods for cleaving semiconductor structures formed on c-face sapphire substrates are disclosed. An exemplary method includes forming at least one III-V nitride layer on the top c-face of a c-face sapphire substrate. A line of weakness is formed on the bottom c-face of the c-face sapphire substrate in the a-plane direction of the c-face sapphire substrate. A force is applied to the bottom c-face to cleave the c-face sapphire substrate along the line of weakness in the a-plane direction, and to form a cleaved facet along an m-plane of each III-V nitride layer. The III-V nitride layers can be included in laser diodes and other light-emitting devices.

Показаны методы для колоть структуры полупроводника сформированные на субстратах сапфира ч-storony. Примерный метод вклюает формировать по крайней мере один слой нитрида III-V на верхней ч-storone субстрата сапфира ч-storony. Линия слабости сформирована на нижней ч-storone субстрата сапфира ч-storony в направлении-PLOSKOSTI субстрата сапфира ч-storony. Усилие приложено к нижней ч-storone для того чтобы расколоть субстрат сапфира ч-storony вдоль линии слабости в направлении-PLOSKOSTI, и сформировать ую фасетку вдоль м-ploskosti каждого слоя нитрида III-V. Слои нитрида III-V можно включить в диоды лазера и другие светоиспускающие приспособления.