The invention comprises methods of providing an interlevel dielectric layer intermediate different elevation conductive metal layers in the fabrication of integrated circuitry. In one implementation, a method of providing an interlevel dielectric layer intermediate different elevation conductive metal layers in the fabrication of integrated circuitry includes forming a conductive metal interconnect layer over a substrate. An insulating dielectric mass is provided about the conductive metal interconnect layer. The insulating dielectric mass has a first dielectric constant. At least a majority of the insulating dielectric mass is etched away from the substrate. After the etching, an interlevel dielectric layer is deposited to replace at least some of the etched insulating dielectric material. The interlevel dielectric layer has a second dielectric constant which is less than the first dielectric constant.

L'invention comporte des méthodes de fournir des couches conductrices en métal de couche d'interlevel d'altitude différente diélectrique d'intermédiaire dans la fabrication des circuits intégrés. Dans une exécution, une méthode de fournir des couches conductrices en métal de couche d'interlevel d'altitude différente diélectrique d'intermédiaire dans la fabrication des circuits intégrés inclut former une couche conductrice d'interconnexion en métal au-dessus d'un substrat. Une masse diélectrique isolante est fournie au sujet de la couche conductrice d'interconnexion en métal. La masse diélectrique isolante a une première constante diélectrique. Au moins une majorité de la masse diélectrique isolante est gravée à l'eau-forte loin du substrat. Après gravure à l'eau-forte, une couche diélectrique d'interlevel est déposée pour remplacer au moins une partie du matériel diélectrique isolant gravé à l'eau-forte. La couche diélectrique d'interlevel a une deuxième constante diélectrique qui est moins que la première constante diélectrique.