Multi-metallic films are prepared from multi-metallic mixtures of metalloamide compounds. The mixtures are subjected to vaporization to form a multi-metallic vapor having defined and controllable stoichiometry. The multi-metallic vapor is then transferred to a chemical vapor deposition chamber, with or without the presence of a reactant gas, to form the multi-metallic film. Multi-metallic nitride, oxide, sulfide, boride, silicide, germanide, phosphide, arsenide, selenide, telluride, etc. films may be prepared by appropriate choice of metalloamide compounds and reactant gas(es).

De multi-metaal films worden voorbereid van multi-metaalmengsels van metalloamidesamenstellingen. De mengsels worden onderworpen aan verdamping om een multi-metaaldamp te vormen die de bepaalde en controleerbare stoichiometrie hebben. De multi-metaaldamp wordt dan overgebracht naar een kamer van het chemische dampdeposito, met of zonder de aanwezigheid van een reactantgas, om de multi-metaalfilm te vormen. Het multi-metaal nitride, het oxyde, het sulfide, boride, silicide, germanide, het fosfide, arsenide, het selenide, het telluride, de enz.films kunnen door aangewezen keus van metalloamidesamenstellingen en reactantgas (es) worden voorbereid.

 
Web www.patentalert.com

< (none)

< Ground stake

> Methods of providing an interlevel dielectric layer intermediate different elevation conductive metal layers in the fabrication of integrated circuitry

> (none)

~ 00028