A composition is provided in the present invention for polishing a composite composite semiconductor structure containing a metal layer (such as tungsten, aluminum, or copper), a barrier layer (such as tantalum, tantalum nitride, titanium, or titanium nitride), and an insulating layer (such as SiO.sub.2). The composition comprises an aqueous medium, an abrasive, an oxidant, an organic polymer that attenuates removal of the oxide film having a degree of polymerization of at least 5 and having a plurality of moieties having affinity to surface groups contained on silicon dioxide surfaces. The composition may optionally comprise a complexing agent and/or a dispersant.

Une composition est fournie dans la présente invention pour polir une structure composée composée de semi-conducteur contenant une couche en métal (telle que le tungstène, l'aluminium, ou le cuivre), une couche-barrière (telle que le tantale, la nitrure de tantale, le titane, ou la nitrure titanique), et une couche de isolation (telle que SiO.sub.2). La composition comporte un milieu aqueux, un abrasif, un oxydant, un polymère organique qui atténue le déplacement du film d'oxyde ayant un degré de polymérisation au moins de 5 et ayant une pluralité de parties ayant l'affinité à apprêter des groupes contenus sur des surfaces de bioxyde de silicium. La composition peut sur option comporter un agent complexant et/ou un dispersant.