A liquid crystal display device including first and second substrates opposing each other at a certain gap, a plurality of electrodes disposed on the first substrate, thin film transistors as nonlinear resistors disposed in a region where the plurality of electrodes overlap, and a liquid crystal filled between the first and second substrates, characterized in that: a plurality of gate electrodes for applying an external signal to the thin film transistors, and an opaque anode oxide electrode for forming a gate insulating film by subjecting the gate electrodes to an anodic oxidation treatment are provided on the first substrate, and the plurality of gate electrodes are connected to each other by the opaque anode oxide electrode when the gate electrodes are subject to the anodic oxidation treatment; wherein a gate insulating film as an anode oxidation film thereof is formed on the gate electrodes, a semiconductor layer is provided on the gate insulating film, and a source electrode and a drain electrode are provided on the semiconductor layer, thereby forming the thin film transistor; wherein a display electrode is provided on the first substrate so as to be connected to the drain electrode; wherein a part of the opaque anode oxide electrode which connects the gate electrodes is separated upon completion of the anodic oxidation treatment, thereby separating the respective gate electrodes from each other to permit them to be independent of each other; wherein the display electrodes and the thin film transistors provided corresponding to each of the display electrodes are arranged in a matrix shape, thereby forming a display region; and wherein a shading portion comprising the remaining part of the anode oxide electrode is provided at the periphery of the display region.

Un dispositivo del indicador de cristal líquido incluyendo primero y los segundos substratos que se oponían en cierto boquete, una pluralidad de electrodos dispusieron en el primer substrato, los transistores de la película fina como resistores no lineales dispuestos en una región donde la pluralidad de electrodos se traslapa, y un cristal líquido llenado entre los primeros y segundos substratos, caracterizados en ése: una pluralidad de electrodos de puerta para aplicar una señal externa a los transistores de la película fina, y un electrodo opaco del óxido del ánodo para formar una película aislador de la puerta de sujetar los electrodos de puerta a un tratamiento anódico de la oxidación se proporciona en el primer substrato, y la pluralidad de electrodos de puerta son conectadas el uno al otro por el electrodo opaco del óxido del ánodo cuando los electrodos de puerta están conforme al tratamiento anódico de la oxidación; en donde una película aislador de la puerta como película de la oxidación del ánodo de eso se forma en los electrodos de puerta, una capa del semiconductor se proporciona en la película aislador de la puerta, y un electrodo de la fuente y un electrodo del dren se proporcionan en la capa del semiconductor, de tal modo formando el transistor de la película fina; en donde un electrodo de la exhibición se proporciona en el primer substrato para para ser conectado con el electrodo del dren; en donde una pieza del electrodo opaco del óxido del ánodo que conecta los electrodos de puerta se separa sobre la terminación del tratamiento anódico de la oxidación, de tal modo separando los electrodos de puerta respectivos de uno a para permitir que sean independiente de uno a; en donde los electrodos de la exhibición y el corresponder proporcionado los transistores de la película fina a cada uno de los electrodos de la exhibición se arreglan en una forma de la matriz, de tal modo formando una región de la exhibición; y en donde una porción que sombrea que abarca la parte restante del electrodo del óxido del ánodo se proporciona en la periferia de la región de la exhibición.