A method of cleaning a substrate 5 to remove etchant residue 10 formed during etching of the substrate, the method comprising the step of exposing the substrate in a process zone 135, to an activated cleaning gas comprising halogen-substituted saturated hydrocarbon gas, oxygen gas, and nitrogen gas.

Метод очищать субстрат 5 для того чтобы извлечь etchant выпарку 10 сформировал во время вытравливания субстрата, метода состоя из шага подвергать действию субстрат в отростчатой зоне 135, к активированному очищая газу состоя из галоид-zamenennogo насыщенного газа углерода, газа кислорода, и газа азота.

 
Web www.patentalert.com

< (none)

< Method and apparatus for enhancing noise tolerance in dynamic silicon-on-insulator logic gates

> Liquid crystal display device

> (none)

~ 00022