The present invention relates to methods of derivatizing semiconductor surfaces, particularly porous silicon surfaces with silicon-carbon units. The derivatization occurs through the direct addition of an organometallic reagent in the absence of an external energy source such as heat and photo- or electrochemical energies. The method of the invention allows the formation of unique intermediates including silicon hydride units bonded to metal ions. Because of these unique intermediates, it is possible to form previously inaccessible silicon-carbon units, for example where the carbon atom is an unsaturated carbon atom. Such inaccessible silicon-carbon units also include silicon-polymer covalent bond formation, in particular where the polymer is a conducting polymer. Thus, the present invention also provides a novel semiconductor surface/polymer junction having improved interfacial interactions.

La présente invention concerne des méthodes de dérivatiser les surfaces de semi-conducteur, en particulier surfaces poreuses de silicium avec des unités de silicium-carbone. La dérivatisation se produit par l'addition directe d'un réactif organométallique en l'absence d'une source extérieure d'énergie telle que la chaleur et les énergies de photo ou électrochimiques. La méthode de l'invention permet la formation des intermédiaires uniques comprenant des unités d'hydrure de silicium collées sur des ions en métal. En raison de ces intermédiaires uniques, il est possible de former les unités précédemment inaccessibles de silicium-carbone, par exemple où l'atome de carbone est un atome de carbone insaturé. De telles unités inaccessibles de silicium-carbone incluent également la formation covalente d'obligation de silicium-polymère, en particulier où le polymère est un polymère de conduite. Ainsi, la présente invention fournit également une jonction du semi-conducteur surface/polymer de roman ayant amélioré des interactions dièdres.