A method and apparatus, and product by process, for the production of bulk polysilicon by broad area chemical vapor deposition, consisting of a quartz envelope and base plate forming a reactor enclosure, with external radiant heaters providing the heat source. A thin wall, edge-defined film fed growth (EFG) silicon tube section is used as the deposition casing and reaction chamber wall. The tube is capped at the top and sealed to the base plate to form the reaction chamber. External heaters radiate heat through the quartz enclosure to heat the tube wall to deposition temperature. A through flow of process gas is introduced to initiate the deposition. A uniform wide surface area deposit occurs on the inside surface of the tube, causing the diameter to become increasingly smaller as the yield accumulates. In a two tube reactor, a smaller core tube is uniformly spaced and supported inside the outer tube for full flow of process gas around the core tube so that deposition occurs on both the outside and inside surface of the core tube. The outer tube may be configured for preheating by a flow of electrical current from the base plate to the cover plate.

Eine Methode und ein Apparat und Produkt durch Prozeß, für die Produktion von Massenpolysilicon durch ausgedehnte Bereich Absetzung des chemischen Dampfes, bestehend aus einem Quarzumschlag und einer Grundplatte, die eine Reaktoreinschließung bildet, wenn die externen leuchtenden Heizungen die Wärmequelle bereitstellen. Eine dünne Wand, Rand-definierter Silikon-Schlauchabschnitt des Film-FBI-Agent Wachstums (EFG) wird als das Absetzunggehäuse und die Reaktion Raumwand benutzt. Der Schlauch wird an der Oberseite mit einer Kappe bedeckt und versiegelt zur Grundplatte, um den Reaktion Raum zu bilden. Externe Heizungen strahlen Hitze durch die Quarzeinschließung aus, um die Schlauchwand zur Absetzungtemperatur zu heizen. Ein Durchfluß des Prozeßgases wird eingeführt, um die Absetzung einzuleiten. Eine konstante breite Flächeablagerung tritt auf der Innenfläche des Schlauches auf und veranläßt den Durchmesser, in zunehmendem Maße kleiner zu werden, während das Ergebnis ansammelt. In einem Reaktor mit zwei Schläuchen wird ein kleinerer Kernschlauch gleichmäßig innerhalb des äußeren Schlauches für vollen Fluß des Prozeßgases um den Kernschlauch gesperrt und gestützt, damit Absetzung auf der äußeren und Innenfläche des Kernschlauches auftritt. Der äußere Schlauch kann für das Vorwärmen durch einen Fluß des elektrischen Stromes von der Grundplatte zur Deckplatte zusammengebaut werden.