A chemical-mechanical polishing apparatus has a surface formed on a solid aggregate comprising a solid suspension of abrasive particles in a light sensitive material. An ultraviolet light source exposes a thin top layer of the surface and a developing fluid develops the exposed surface. The developing fluid dissolves the UV-exposed top portion of the aggregate and a polishing slurry is formed of the developing fluid and the released abrasive particles. The aggregate surface remaining after developing acts as a polishing surface. The polishing slurry is used during chemical-mechanical polishing of a processed semiconductor wafer. After polishing, a rinsing fluid is dispensed to remove used slurry from the polishing aggregate.

Un aparato que pule producto-meca'nico tiene una superficie formada en un agregado sólido que abarca una suspensión sólida de partículas abrasivas en un material sensible ligero. Una fuente de la luz ultravioleta expone una capa superior fina de la superficie y un líquido que se convierte desarrolla la superficie expuesta. El líquido que se convierte disuelve la porción superior UV-expuesta del agregado y una mezcla que pule se forma del líquido que se convierte y de las partículas abrasivas lanzadas. El restante superficial agregado después de convertirse actúa como superficie que pule. La mezcla que pule se utiliza durante pulir producto-meca'nico de una oblea de semiconductor procesada. Después de pulir, un líquido que aclara se dispensa para quitar la mezcla usada del agregado que pule.