A semiconductor device according to the invention is characterized by comprising a stacked structure which has a plurality of layers for providing rear barrier confinement potentials, an oblique side surface intersecting edges of the plurality of layers, at least one layer overlying the oblique side such that carriers can flow in a plane parallel to the oblique side surface, and narrowing means for causing carriers to flow over the edges of the plurality of layers, only in a direction of the oblique side surface.

Μια συσκευή ημιαγωγών σύμφωνα με την εφεύρεση χαρακτηρίζεται από τη συμπερίληψη μιας συσσωρευμένης δομής που έχει μια πολλαπλότητα των στρωμάτων για την παροχή των οπίσθιων δυνατοτήτων περιορισμού εμποδίων, τεμνόμενες άκρες μιας πλάγιες δευτερεύουσες επιφάνειας της πολλαπλότητας των στρωμάτων, τουλάχιστον ένα στρώμα επικαλύπτοντας την πλάγια πλευρά έτσι ώστε οι μεταφορείς μπορούν να ρεύσουν σε ένα αεροπλάνο παράλληλο στην πλάγια δευτερεύουσα επιφάνεια, και τα στενεύοντας μέσα για τους μεταφορείς για να ρεύσουν πέρα από τις άκρες της πολλαπλότητας των στρωμάτων, μόνο σε μια κατεύθυνση της πλάγιας δευτερεύουσας επιφάνειας.

 
Web www.patentalert.com

< Magnetic element, magnetic read head, magnetic storage device, magnetic memory device

< MNOS-type memory using single electron transistor and driving method thereof

> Memory device with improved charge storage barrier structure

> Single electron memory device comprising quantum dots between gate electrode and single electron storage element and method for manufacturing the same

~ 00012