The present invention relates to a method for forming a magnetic layer of magnetic random access memory. In short, the method comprises following steps: providing a substrate; forming metal structures on substrate; forming a stop layer on substrate and mostly conformally covers metal structures; forming a buffer layer which mostly conformally covers stop layer; forming a dielectric layer on buffer layer where thickness of dielectric layer is larger than height of metal structures; planarizing the surface of said dielectric layer; and forming a magnetic layer on dielectric layer. Moreover, some essential key-points of the method are dielectric layer is more sensitive to said stop layer than buffer layer and gap fill ability of dielectric layer is better than gap fill ability of buffer layer.

La présente invention concerne une méthode pour former une couche magnétique de mémoire à accès sélective magnétique. En bref, la méthode comporte après des étapes : fournir un substrat ; formation des structures en métal sur le substrat ; la formation d'une couche d'arrêt sur le substrat et couvre la plupart du temps conformally des structures en métal ; formant une couche d'amortisseur qui couvre la plupart du temps conformally la couche d'arrêt ; en formant une couche diélectrique sur l'amortisseur posez où l'épaisseur d'une couche diélectrique est plus grande que la taille des structures en métal ; planarizing la surface de ladite couche diélectrique ; et formant une couche magnétique sur la couche diélectrique. D'ailleurs, quelques clef-points essentiels de la méthode sont couche diélectrique est plus sensible à ladite couche d'arrêt que les capacités de suffisance de couche et d'espace d'amortisseur d'une couche diélectrique sont meilleures que des capacités de suffisance d'espace d'une couche d'amortisseur.