In the present invention, an interfacial layer is added to a light-emitting diode or laser diode structure to perform the role of strain engineering and impurity gettering. A layer of GaN or Al.sub.x In.sub.y Ga.sub.1-x-y N (0.ltoreq.x.ltoreq.1, 0.ltoreq.y.ltoreq.1) doped with Mg, Zn, Cd can be used for this layer. Alternatively, when using Al.sub.x In.sub.y Ga.sub.1-x-y N (x>0), the layer may be undoped. The interfacial layer is deposited directly on top of the buffer layer prior to the growth of the n-type (GaN:Si) layer and the remainder of the device structure. The thickness of the interface layer varies from 0.01-10.0 .mu.m.

In de onderhavige uitvinding, wordt een laag tussen twee raakvlakken toegevoegd aan een lichtgevende diode of van de laserdiode structuur om de rol van spanningstechniek en onzuiverheidsgettering uit te voeren. Een laag van GaN of Al.sub.x In.sub.y ga.sub.1-x-Y N (0.ltoreq.x.ltoreq.1, 0.ltoreq.y.ltoreq.1) gesmeerd met Mg, Zn, CD kan voor deze laag worden gebruikt. Alternatief, wanneer het gebruiken van Al.sub.x In.sub.y ga.sub.1-x-Y N (x 0), de laag kan undoped zijn. De laag wordt tussen twee raakvlakken gedeponeerd direct bovenop de bufferlaag voorafgaand aan de groei van n-type (GaN:Si) de laag en de rest van de apparatenstructuur. De dikte van de interfacelaag variëert van 0.01-10.0 mu.m.