A magnetic memory with enhanced half-select margin includes an array of magnetic memory cells each having a data storage layer with an easy axis and an array of conductors each having an angle of orientation with respect to the easy axes that is preselected to enhance half-select margin in the magnetic memory. The angle of orientation is such that the longitudinal write field is enhanced and the perpendicular write field is minimized in a selected memory cell. The magnetic memory cells optionally includes a structured data storage layer including a control layer that minimizes the likelihood of half-select switching in the unselected magnetic memory cells.

Una memoria magnetica con aumentato metà-seleziona il margine include un allineamento delle cellule di memoria magnetiche ciascuno che ha uno strato di immagazzinaggio di dati con un asse facile e un allineamento dei conduttori ciascuno che ha un angolo dell'orientamento riguardo alle ascie facili che è preselezionato per aumentare metà-seleziona il margine nella memoria magnetica. L'angolo dell'orientamento è tale che il longitudinali scrivono il campo sono aumentati e la perpendicolare scrive il campo è minimizzata in una cellula di memoria selezionata. Le cellule di memoria magnetiche facoltativamente include uno strato strutturato di immagazzinaggio di dati compreso uno strato di controllo di che minimizza la probabilità metà-selezionano la commutazione nelle cellule di memoria magnetiche non selezionate.