Provided herein is a CVD method and apparatus for the deposition of tungsten in which formation of a film of tungsten material is suppressed at the peripheral edge of the semiconductor substrate. In accordance with the invention, a halogenide purge gas is supplied to the peripheral edge of the processing face of a semiconductor wafer during the chemical vapor deposition of tungsten. The halogenide purge gases interact with the processing gases and form a passivation film at the peripheral edge of the semiconductor wafer which suppresses or prevents the formation of a film of tungsten material on the edge surface. Consequently, CMP can be applied to the tungsten semiconductor wafer, and particles of the tungsten material, etc., are not generated from the intense polishing of the peripheral edge of the wafer. Therefore, an uncontaminated tungsten-coated semiconductor wafer with a precise multilayer electrode wiring structure can be manufactured in large volume and favorable yields.

Desde que está nisto um método e os instrumentos do CVD para o deposition do tungstênio em que a formação de uma película do material do tungstênio é suprimida no periférico afíam da carcaça do semicondutor. De acordo com a invenção, um gás da remoção do halogenide é fornecido à borda periférica da cara processando de um wafer de semicondutor durante o deposition de vapor químico do tungstênio. Os gáses da remoção do halogenide interagem com os gáses processando e dão forma a uma película do passivation na borda periférica do wafer de semicondutor que suprime ou impede a formação de uma película do material do tungstênio na superfície da borda. Conseqüentemente, o CMP pode ser aplicado ao wafer de semicondutor do tungstênio, e as partículas do material do tungstênio, etc., não são geradas de lustrar intenso da borda periférica do wafer. Conseqüentemente, um wafer de semicondutor tungstênio-revestido não contaminado com uma estrutura multilayer precisa da fiação do elétrodo pode ser manufaturado no volume grande e em rendimentos favoráveis.