A method of manufacturing a semiconductor device comprising the steps of,
forming a diffusion-preventing thin film on a substrate, performing a
first vapor deposition by supplying a source gas comprising a
copper-containing organometallic compound and an oxidizing gas over the
diffusion-preventing thin film thereby to allow a first conductive thin
film containing copper as a main component and a trace of oxygen to be
grown through a chemical vapor deposition, performing a second vapor
deposition by supplying the source gas without supplying the oxidizing gas
thereby to allow a second conductive thin film mainly containing copper to
be grown through a chemical vapor deposition, and heat-treating the first
and second conductive thin films at a temperature which is higher than
those employed in the first and second vapor depositions.
Un metodo di produzione del dispositivo a semiconduttore che contiene i punti, formando una pellicola sottile diffusione-evitante su un substrato, effettuando un primo deposito del vapore assicurando un gas di fonte che contiene un residuo organometallico rame-contenente e un'eccedenza d'ossidazione del gas la pellicola sottile diffusione-evitante quindi per permettere una prima pellicola sottile conduttiva che contiene rame come componente principale e una traccia di ossigeno da svilupparsi con un deposito di vapore chimico, realizzante un secondo deposito del vapore assicurando il gas di fonte senza assicurare il gas d'ossidazione quindi per permettere una seconda pellicola sottile conduttiva pricipalmente che contiene rame da svilupparsi con un deposito di vapore chimico e calore-trattante le prime e seconde pellicole sottili conduttive ad una temperatura quale รจ superiore a quelli impiegati nei primi e secondi depositi del vapore.
