Method of forming silicon nitride deposited film

   
   

A plate high-frequency electrode for supplying a high-frequency power of the VHF band and a grounding electrode are disposed in opposition to each other at an interval of less than 8 mm in a vacuum vessel; at least a silane-based gas and nitrogen gas as source gases are introduced into a reaction space of the vacuum vessel, and a silicon nitride deposited film is formed with the pressure of the reaction space being kept at 40 to 133. Thereby, a silicon nitride film with good quality can be obtained.

Un electrodo de alta frecuencia de la placa para proveer una energía de alta frecuencia de la venda del VHF y un electrodo que pone a tierra se disponen en la oposición el uno al otro en un intervalo de menos de 8 milímetros en un recipiente del vacío; por lo menos un gas silane-basado y el gas del nitrógeno como gases de la fuente se introducen en un espacio de la reacción del recipiente del vacío, y una película depositada del nitruro de silicio se forma con la presión del espacio de la reacción que es guardado en 40 a 133. De tal modo, una película del nitruro de silicio con buena calidad puede ser obtenida.

 
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