Aqueous ammonium hydroxide amorphous silicon etch method for forming microelectronic capacitor structure

   
   

Within a method for fabricating a capacitor structure within a microelectronic fabrication there is formed a capacitor structure comprising a pair of capacitor plate layers separated by a capacitor dielectric layer. Within the method, at least one of the pair of capacitor plates is formed of a doped amorphous silicon material formed incident to isotropic etching within an etchant solution comprising aqueous ammonium hydroxide, without hydrogen peroxide.

Dentro de un método para fabricar una estructura del condensador dentro de una fabricación microelectrónica se forma una estructura del condensador que abarca un par de las capas de la placa del condensador separadas por una capa del dieléctrico del condensador. Dentro del método, por lo menos uno del par de placas del condensador se forma de un incidente formado material amorfo dopado del silicio a la aguafuerte isotrópica dentro de una solución etchant que abarca el hidróxido de amonio acuoso, sin el peróxido de hidrógeno.

 
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