Patterning semiconductor layers using phase shifting and assist features

   
   

A photomask and method of patterning a photosensitive layer using a photomask, the photomask including a substrate and a film coupled to substrate. The film is etched with a phase shifted assist feature, a low aspect ratio assist feature or phase shifted low aspect primary features.

Photomask и метод делать по образцу фоточувствительный слой использующ photomask, photomask включая субстрат и пленку соединили к субстрату. Пленка вытравлена с перенесенной участком характеристикой assist, низкой характеристикой assist коэффициента сжатия или перенесенными участком характеристиками низкого аспекта главным образом.

 
Web www.patentalert.com

< Communications between partitioned host processors and management processor

< Marshalling interface between provider and server

> Speed typing apparatus and method

> Apparatus and method for verifying proper data entry and detecting common typing errors

~ 00174