A metallic element is effectively removed from a semiconductor film
crystallized by using the metallic element. The concentration distribution
of phosphorous or antimony in the depth direction of at least one of a
source and a drain of a TFT semiconductor film has: a region in which the
concentration is 1.times.10.sup.20 atoms/cm.sup.3 or less is 5 nm or
greater in thickness, and 5.times.10.sup.19 atoms/cm.sup.3 or greater in
the maximum value. By creating this concentration distribution, and by
thermal annealing at about between 500 and 650.degree. C., the metallic
element within a channel forming region diffuses to the source or the
drain, and at the same time as gettering is accomplished, the region in
which the concentration is 1.times.10.sup.20 atoms/cm.sup.3 or less is
made into a nucleus and the source region/drain region is recrystallized.
Een metaalelement wordt effectief verwijderd uit een halfgeleiderfilm die door het metaalelement wordt gekristalliseerd te gebruiken. De concentratiedistributie van fosforachtig of antimony in de diepterichting van minstens één van een bron en een afvoerkanaal van een TFT halfgeleiderfilm heeft: een gebied in wie de concentratie atomen 1.times.10.sup.20/cm.sup.3 of minder is is 5 in dikte, en 5.times.10.sup.19 atomen NM of groter/cm.sup.3 of groter in de maximumwaarde. Door te creëren deze concentratiedistributie, en door thermische bij ongeveer tussen 500 en 650.degree. C. te ontharden, verspreidt het metaalelement binnen een kanaal dat gebied vormt aan de bron of het afvoerkanaal, en tegelijk met gettering, het gebied verwezenlijkt in wie de concentratie atomen 1.times.10.sup.20/cm.sup.3 is of minder wordt gemaakt in een kern en het brongebied/het afvoerkanaalgebied zijn opnieuw gekristalliseerd.
