A semiconductor memory device having STC cells wherein the major portions
of active regions consisting of channel-forming portions are inclined at
an angle of 45 degrees with respect to word lines and bit lines that meet
at right angles with each other, thereby enabling the storage capacity
portions to be arranged very densely and a sufficiently large capacity to
be maintained with very small cell areas. Since the storage capacity
portions are formed even on the bit lines, the bit lines are shielded, so
that the capacity decreases between the bit lines and, hence, the memory
array noise decreases. It is also possible to design the charge storage
capacity portion so that a part of thereof has a form of a wall
substantially vertical to the substrate in order to increase the capacity.
Een apparaat dat van het halfgeleidergeheugen STC cellen heeft waarin de belangrijkste gedeelten actieve gebieden die uit kanaal-vormende gedeelten bestaan bij een hoek van 45 graden met betrekking tot woordlijnen en beetjelijnen geneigd zijn die recht elkaar samenkomen, daardoor toelatend de gedeelten van de opslagcapaciteit wordt geschikt zeer dicht en dat een voldoende grote capaciteit dat met zeer kleine celgebieden moet worden gehandhaafd. Aangezien de gedeelten van de opslagcapaciteit zelfs op de beetjelijnen worden gevormd, worden de beetjelijnen beschermd, zodat de capaciteit tussen de beetjelijnen en, vandaar, de het lawaaidalingen van de geheugenserie vermindert. Het is ook mogelijk om het de capaciteitsgedeelte van de lastenopslag te ontwerpen zodat een deel van daarvan een vorm van een muur wezenlijk verticaal aan het substraat heeft om de capaciteit te verbeteren.
