In a photoelectric conversion device comprising a first-conductivity type
first semiconductor region located in a pixel region, a
second-conductivity type second semiconductor region provided in the first
semiconductor region, and a wiring for electrically connecting the second
semiconductor region to a circuit element located outside the pixel
region, a shield is provided on the light-incident side of the wiring, via
an insulator in such a way that it covers at least part of the wiring and
also the shield comprises a conductor whose potential stands fixed.
This photoelectric conversion device may hardly be affected with
low-frequency radiated noises as typified by power-source noise.
En un dispositivo fotoeléctrico de la conversión que abarca un tipo primera región de la primero-conductividad de semiconductor situada en una región del pixel, un tipo segundo región de la segundo-conductividad de semiconductor proporcionada en la primera región de semiconductor, y un cableado para eléctricamente conectar la segunda región de semiconductor con un elemento de circuito localizó fuera de la región del pixel, un protector se proporciona en el lado del luz-incidente del cableado, vía un aislador de una manera tal que cubra por lo menos la pieza del cableado y también del protector abarca a conductor que potencial está parado fijo. Este dispositivo fotoeléctrico de la conversión se puede afectar apenas con ruidos irradiados de baja frecuencia según lo caracterizado por ruido de la energi'a-fuente.
