A semiconductor laser chip has an active layer, an allover electrode
forming a lower face of the laser chip and a light emitting end surface of
the laser chip. A Si thin film is formed on the light emitting end surface
of the laser chip. An upper Si thin film is formed on an upper portion of
the light emitting end surface and a lower Si thin film is formed on a
lower portion thereof. The lower Si thin film is smaller in thickness than
the upper Si thin film. Smaller thickness of the lower Si thin film
prevents a component of the allover electrode from diffusing into the
upper Si thin film that covers the active layer. Thus, decrease of a
maximum optical output value is prevented, and reliability of the laser
chips is increased.
Обломок лазера полупроводника имеет активно слой, электрод allover формируя более низкую сторону обломока лазера и света испуская поверхность конца обломока лазера. Пленка кремния тонкая сформирована на светлой испуская поверхности конца обломока лазера. Верхняя пленка кремния тонкая сформирована на верхней части светлой испуская поверхности конца и более низкая пленка кремния тонкая сформирована на более низкой части thereof. Более низкая пленка кремния тонкая более мала в толщине чем верхняя пленка кремния тонкая. Более малая толщина более низкой пленки кремния тонкой предотвращает компонент электрода allover от отражать в верхнюю пленку кремния тонкую покрывает активно слой. Таким образом, предотвращено уменшение максимального оптически значения выхода, и увеличена надежность обломоков лазера.
