Electrode structure and method for fabricating the same

   
   

The electrode structure of this invention includes a silicon-containing film containing silicon as a principal constituent; a barrier metal layer of titanium nitride rich in titanium as compared with a stoichiometric ratio formed on the silicon-containing film; and a metal film with a high melting point formed on the barrier metal layer.

De elektrodenstructuur van deze uitvinding omvat een silicium-bevattende film die silicium bevat als belangrijkste constituent; een laag van het barrièremetaal rijken van het titaniumnitride in titanium vergeleken met een stoichiometrische verhouding vormde zich op de silicium-bevattende film; en een metaalfilm met een hoog smeltpunt vormde zich op de laag van het barrièremetaal.

 
Web www.patentalert.com

< Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor device with chip on chip structure

< Method and apparatus for hermetic sealing of assembled die

> Split barrier layer including nitrogen-containing portion and oxygen-containing portion

> Glass frit wafer bonding process and packages formed thereby

~ 00172