Structure and method for index-guided buried heterostructure AlGaInN laser diodes

   
   

An index-guided buried heterostructure AlGalnN laser diode provides improved mode stability and low threshold current when compared to conventional ridge waveguide structures. A short period superlattice is used to allow adequate cladding layer thickness for confinement without cracking. The intensity of the light lost due to leakage is reduced by about 2 orders of magnitude with an accompanying improvement in the far-field radiation pattern when compared to conventional structures.

Een index-geleide begraven diode van de heterostructuuralGalnN laser verstrekt betere wijzestabiliteit en lage drempelstroom wanneer vergeleken bij de conventionele structuren van de randgolfgeleider. Korte periodesuperlattice wordt gebruikt om de adequate dikte van de bekledingslaag voor beperking toe te staan zonder het barsten. De intensiteit van het verloren licht wegens lekkage wordt verminderd door ongeveer 2 grootteordes met een begeleidende verbetering van het far-field stralingspatroon wanneer vergeleken bij conventionele structuren.

 
Web www.patentalert.com

< Photoconductive imaging members

< Method of casting photoresist onto substrates

> Flying recording head having semiconductor laser formed by growing semiconductor crystal, and method of manufacturing same

> Method and apparatus for display of spatially registered information using embedded data

~ 00172