A process for producing an adhered SOI substrate without causing cracking
and peeling of a single-crystal silicon thin film. The process consists of
selectively forming a porous silicon layer in a single-crystal
semiconductor substrate, adding hydrogen into the single-crystal
semiconductor substrate to form a hydrogen-added layer, adhering the
single-crystal semiconductor substrate to a supporting substrate,
separating the single-crystal semiconductor substrate at the
hydrogen-added layer by thermal annealing, performing thermal annealing
again to stabilize the adhering interface, and selectively removing the
porous silicon layer to give single-crystal silicon layer divided into
islands.
Um processo para produzir uma carcaça aderida de SOI sem causar rachar e descascar de uma película fina do silicone do único-cristal. O processo consiste seletivamente dar forma a uma camada porosa do silicone em uma carcaça do semicondutor do único-cristal, adicionando o hidrogênio na carcaça do semicondutor do único-cristal para dar forma a uma camada hidrogênio-adicionada, aderindo a carcaça do semicondutor do único-cristal a uma carcaça suportando, separando a carcaça do semicondutor do único-cristal na camada hidrogênio-adicionada pelo recozimento térmico, executando o recozimento térmico outra vez para estabilizar a relação aderindo, e removendo seletivamente a camada porosa do silicone para dar a camada do silicone do único-cristal dividida em consoles.
