III group nitride based semiconductor element and method for manufacture thereof

   
   

A separator layer of Ti is formed on an auxiliary substrate of sapphire or the like. An undercoat layer of TiN is formed on the separator layer. The undercoat layer is provided so that a Group III nitride compound semiconductor layer can be grown with good crystallinity on the undercoat layer. TiN is sprayed on the undercoat layer to form a thermal spray depositing layer. Then, the separator layer is chemically etched to reveal the undercoat layer. Then, a Group III nitride compound semiconductor layer is grown on a surface of the undercoat layer.

Een separatorlaag van Ti wordt gevormd op een hulpsubstraat van saffier of dergelijke. Een undercoatlaag van TiN wordt gevormd op de separatorlaag. De undercoatlaag wordt verstrekt zodat een Groep III de halfgeleiderlaag van de nitridesamenstelling met goede kristalliniteit op de undercoatlaag kan worden gekweekt. TiN wordt bespoten op de undercoatlaag om een thermische nevel het deponeren laag te vormen. Dan, wordt de separatorlaag chemisch ge√ętst om de undercoatlaag te openbaren. Dan, wordt een Groep III de halfgeleiderlaag van de nitridesamenstelling gekweekt op een oppervlakte van de undercoatlaag.

 
Web www.patentalert.com

< Fenestration sealed frame, insulating glazing panels

< Vapor dispensing device having improved transverse loading stability

> Apparatus and method for monitoring a cable

> Alternator control circuit and related techniques

~ 00172