In a nonvolatile semiconductor memory device capable of the storage of
multivalued data, fast writing can be realized with high reliability. In
such a nonvolatile semiconductor memory device for storing multivalued
information in one memory cell by setting a plurality of threshold
voltages of data, writing of data having one threshold voltage that is the
remotest to an erased state is performed prior to writing of the data
having the other threshold voltages (write #1). Writing of the data having
the other threshold voltages is then sequentially performed starting from
the data having the nearer threshold voltage to the erased state. When
writing each of the data having the other threshold voltages, writing of
the data is simultaneously performed to a memory cell to which the data
having the remoter threshold voltage from the erased state (write #2 and
write #3).
En un dispositivo de memoria permanente de semiconductor capaz del almacenaje de datos multivalued, la escritura rápida se puede observar con alta confiabilidad. En un dispositivo de memoria tan permanente de semiconductor para almacenar la información multivalued en una célula de memoria fijando una pluralidad de voltajes del umbral de datos, el escribir de los datos que tienen un voltaje del umbral que esté el más alejado a un estado borrado se realiza antes de la escritura de los datos que tienen los otros voltajes del umbral (escriba # 1). La escritura de los datos que tienen los otros voltajes del umbral es entonces el salir secuencialmente realizado de los datos que tienen el voltaje más cercano del umbral al estado borrado. Al escribir cada uno de los datos que tienen los otros voltajes del umbral, el escribir de los datos se realiza simultáneamente a una célula de memoria a la cual los datos que tienen el voltaje más alejado del umbral del estado borrado (escriba #2 y escriba # 3).
